银的低温度熔接可提供高功率器件的可靠性。

27 January 2017

Dmitry Titushkin

Alexander Stavtsev

Konstantin Stavtsev

Alexey Surma

本文讨论了通过使用硅片与钼片低温度纳米银颗粒烧结技术来提高晶片直径80mm以上的大功率半导体器件可靠性，并且对接线孔隙率、实验室样品耐热循环性、烧结最佳稳定和压力范围等项目进行了研究。

地址: 俄罗斯奥廖尔州奥廖尔市列斯科夫路19号27室14号办公室

目录搜索