MOSFET (SiC) 模块

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MCDA-HBS12-I600N-C

MOSFET (SiC) 模块

VCES [V]: 1200
ICnom [A]: 600
技术: Trench-FS
资质: Industrial
尺寸
(宽度/长度) [mm]:
MCDA (62/152)
产品状态: 即将发售

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  • 文件和證明
  • 描述

    • SiC MOSFET and SiC SBD

    • Low inductance

    • Scheme — Half-Bridge

    • Switching cell topology

    • Low RDS(on) value

    • Optimized control circuits

    • AlN Substrates

    • Copper baseplate

    • Industry standard package

    • Low static and dynamic losses

    • Fast and clean switching

    • Low Rth(j-c) value

    • High thermal cycling performance

  • 应用范围

    • Inverters for RES

    • DC/DC converters, inverters

    • Motor drives

    • Electric transport

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