IGBT模块

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IGBT MIRA-IRB12LA-75N

IGBT模块

VCES [V]: 1200
ICnom [A]: 75
技术: Trench-FS
配置: 逆变器、整流器、制动斩波器
资质: Industrial
尺寸
(宽度/长度) [mm]:
MIRA (62/122)
生产确认(第719号法令): 已登记

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  • 文件和證明
  • 描述

    Low Inductance IGBT Module MIRA-IRB12LA-75N with 17 mm Height Housing. IGBT module with blocking voltage 1200V and current 50A. IGBT MIRA-IRB12LA-75N has copper baseplate, improved thermal cycling and integrated temperature sensor.

  • 应用范围

    Low Inductance IGBT Module MIRA-IRB12LA-75N successful used in AC motor drives, invertors and power supplies.

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地址: 俄罗斯奥廖尔州奥廖尔市列斯科夫路19号27室14号办公室

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